Забудьте про 0 и 1. Создан атомно-тонкий транзистор, который хранит 3 024 состояния одновременно
NewsMakerТеперь ИИ станет в разы экономичнее?
Инженеры уже не первое десятилетие пытаются приблизить электронику к тому, как устроен мозг. Речь о нейроморфном «железе» - системах, которые имитируют работу нейронов и синапсов и теоретически могут запускать ИИ-модели надёжнее и экономичнее, чем обычные чипы. Один из ключевых вызовов здесь - память: устройству нужны не просто «ноль» и «единица», а множество устойчивых промежуточных состояний, похожих на разные «силы связи» между нейронами.
Перспективным материалом для таких задач считаются сегнетоэлектрики (ferroelectrics). У них есть спонтанная электрическая поляризация, и важно то, что она может сохраняться даже без питания. Это делает их удобной основой для энергонезависимой памяти, а ещё для транзисторов, которые управляют током в схемах.
Команда из Нанкинского университета аэронавтики и астронавтики представила необычный сегнетоэлектрический транзистор, где атомно тонкие слои материалов могут чуть сдвигаться относительно друг друга. По данным статьи в Nature Electronics , устройство смогло удерживать 3 024 устойчивых состояния поляризации, то есть «запоминать» зарядовые конфигурации тысячами разных способов.
Ранее «скользящие» сегнетоэлектрические устройства на ван-дер-ваальсовых двухслойных структурах часто уверенно переключались между двумя состояниями и хорошо переносили многократные циклы, но для нейроморфных задач этого мало: там нужна тонкая многоуровневая настройка. Чтобы усилить многосостоянийность, исследователи собрали гетероструктуру из графена и гексагонального нитрида бора. Их решётки не совпадают идеально, из-за чего возникает характерный муаровый рисунок, который помогает управлять локальными носителями заряда. В работе также упоминаются связанные исследования по «скользящим» сегнетоэлектрическим устройствам ( https://phys.org/news/2025-08-domain-walls-polarization-ferroelectrics.html ) и муаровым решёткам.
Инженеры уже не первое десятилетие пытаются приблизить электронику к тому, как устроен мозг. Речь о нейроморфном «железе» - системах, которые имитируют работу нейронов и синапсов и теоретически могут запускать ИИ-модели надёжнее и экономичнее, чем обычные чипы. Один из ключевых вызовов здесь - память: устройству нужны не просто «ноль» и «единица», а множество устойчивых промежуточных состояний, похожих на разные «силы связи» между нейронами.
Перспективным материалом для таких задач считаются сегнетоэлектрики (ferroelectrics). У них есть спонтанная электрическая поляризация, и важно то, что она может сохраняться даже без питания. Это делает их удобной основой для энергонезависимой памяти, а ещё для транзисторов, которые управляют током в схемах.
Команда из Нанкинского университета аэронавтики и астронавтики представила необычный сегнетоэлектрический транзистор, где атомно тонкие слои материалов могут чуть сдвигаться относительно друг друга. По данным статьи в Nature Electronics , устройство смогло удерживать 3 024 устойчивых состояния поляризации, то есть «запоминать» зарядовые конфигурации тысячами разных способов.
Ранее «скользящие» сегнетоэлектрические устройства на ван-дер-ваальсовых двухслойных структурах часто уверенно переключались между двумя состояниями и хорошо переносили многократные циклы, но для нейроморфных задач этого мало: там нужна тонкая многоуровневая настройка. Чтобы усилить многосостоянийность, исследователи собрали гетероструктуру из графена и гексагонального нитрида бора. Их решётки не совпадают идеально, из-за чего возникает характерный муаровый рисунок, который помогает управлять локальными носителями заряда. В работе также упоминаются связанные исследования по «скользящим» сегнетоэлектрическим устройствам ( https://phys.org/news/2025-08-domain-walls-polarization-ferroelectrics.html ) и муаровым решёткам.